2021-07-16 13:42 | 來源:中證網 | 作者:俠名 | [科創板] 字號變大| 字號變小
?拓荊科技此次擬募資約10億元,用于先進半導體設備的技術研發與改進等項目。公司表示,未來將加大集成電路核心先進設備的研發力度,保持技術領先,擴大產業規模,進一步提...
拓荊科技科創板上市申請近日獲得受理。拓荊科技專注于半導體薄膜沉積設備業務,累計發貨超150套機臺,客戶包括中芯國際、華虹集團、長江存儲等。國家大基金是拓荊科技第一大股東,另一重要股東中微公司同樣從事半導體設備業務。
拓荊科技此次擬募資約10億元,用于先進半導體設備的技術研發與改進等項目。公司表示,未來將加大集成電路核心先進設備的研發力度,保持技術領先,擴大產業規模,進一步提升市場占有率,縮小與國際巨頭間的差距。
技術先進
半導體薄膜沉積設備與光刻機、刻蝕機共同構成芯片制造三大主設備。拓荊科技的主要產品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、原子層沉積(ALD)設備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備三個產品系列,廣泛應用于國內晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產線,并已展開10nm及以下制程產品驗證測試。
拓荊科技是國內唯一一家產業化應用的集成電路PECVD、SACVD設備廠商。據介紹,PECVD設備是集成電路產業鏈的核心裝備,其下游應用覆蓋晶圓制造、集成電路封裝、半導體高端顯示等應用領域。
2018年至2020年及2021年1-3月(報告期),PECVD銷售收入占拓荊科技主營業務收入的比例分別為77.98%、100%、97.55%和100%。ALD、SACVD設備仍處于客戶進行產線驗證階段。
拓荊科技表示,芯片制造涉及十余種不同材料的薄膜,電性能、機械性能不同的各類薄膜構成芯片3D結構體中不同的功能。公司針對下游對于不同材料薄膜PECVD設備的需求,研發并生產16種不同工藝型號的PECVD設備,全面覆蓋邏輯電路、DRAM存儲、FLASH閃存集成電路制造各技術節點產線SiO2、SiN、SiON、BPSG、TEOS等多種通用介質材料薄膜沉積工序,并具備向更先進技術節點拓展的延伸性。
公告顯示,拓荊科技產品已應用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯芯、燕東微電子等國內主流晶圓廠產線,累計發貨超150套機臺。憑借長期技術研發和工藝積累,拓荊科技已可以與國際巨頭直接競爭。先進制程方面,公司表示,PECVD設備已發貨某國際領先晶圓廠先進研發產線,ALD設備已銷往國內14nm研發產線,產品技術參數達到國際同類設備水平。
尚未盈利
2011年,拓荊科技首臺12英寸PECVD出廠到中芯國際驗證,于2013年通過產品線測試,2014年獲得中芯國際首臺量產機臺PF-300T的設備訂單。伴隨半導體設備需求與日俱增,報告期內公司分別實現營業收入7064.40萬元、25125.15萬元、43562.77萬元和5774.10萬元,近三年復合增長率達148.32%;毛利率分別為33.00%、31.99%、34.12%、27.07%;歸母凈利潤分別為-10322.29萬元、-1936.64萬元、-1148.90萬元和-1032.66萬元。
報告期內,拓荊科技尚未實現盈利。公司表示,半導體設備行業技術含量高,研發投入大,產品驗證周期長。報告期內,拓荊科技研發費用分別為10797.31萬元、7431.87萬元、12278.18萬元和2714.86萬元,占營業收入的比重分別為152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。公司表示,研發費用較高,占營業收入的比例較大,是公司虧損的主要原因。
招股說明書披露,2019年度,在全球CVD設備市場,應用材料(AMAT)、泛林半導體(Lam)、東京電子(TEL)的市場占有率分別為30%、21%和19%;在ALD設備全球市場,東京電子(TEL)、先晶半導體(ASMI)的市場占有率分別為31%和29%。相比國際巨頭,拓荊科技的市場占有率較低。
另外,國內半導體設備廠商互相進入彼此業務領域。例如,在ALD設備領域,北方華創、盛美股份、屹唐股份及中微公司推出了自產設備或有進入該市場的計劃。拓荊科技面臨國際巨頭以及潛在國內新進入者的雙重競爭。
拓荊科技本次擬募集資金10億元,投資項目均用于公司主營業務發展,包括先進半導體設備的技術研發與改進項目、ALD設備研發與產業化項目、高端半導體設備擴產項目,并補充流動資金。
拓荊科技表示,面對半導體產業高速發展的市場機遇,通過擴大產能,不斷研發新技術平臺、新工藝機型,實現產品產業化,提高公司市場占有率。同時,半導體下游5G手機、汽車電子、工業電子、物聯網、云計算等行業不斷產生新的需求,對公司保持技術領先提出新的要求。
拓展市場
截至招股說明書披露,國家大基金持股26.48%,為公司第一大股東。國投上海、中微公司持股分別為18.23%、11.20%。拓荊科技表示,公司不存在控股股東、實際控制人。
2018年1月,國家集成電路基金(簡稱“國家大基金”)、國投上海、中微公司等就已是拓荊科技股東。拓荊科技前身沈陽拓荊科技有限公司成立于2010年,注冊資本1000萬元,由中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司、孫麗杰分別出資600萬元、400萬元。其中,孫麗杰系代外籍專家姜謙出資。孫麗杰于2014年1月將其持有的拓荊有限40%股權轉讓給姜謙等外籍專家及公司員工持股平臺,代持股權解除,公司由此變更為中外合資企業。2021年1月,公司整體變更為股份有限公司。
拓荊科技表示,計劃未來重點拓展中國臺灣市場。根據2020年SEMI年度報告,中國臺灣市場份額占全球半導體設備市場的24.1%,分布著臺積電、聯電等技術水平領先的晶圓制造廠商。公司將充分利用成熟的技術,著力推進先進制程研發產線、試產線設備驗證,積極拓展客戶,擴大公司產品在全球市場的占有率。
《電鰻快報》
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