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加速實現國產替代 晶閘管廠商瑞能半導闖關科創板

2020-08-20 03:22 | 來源:中國證券報 | 作者:劉楊 | [科創板] 字號變大| 字號變小


瑞能半導表示,公司以加速實現國產替代為己任,未來將進一步完善全系列晶閘管和功率二極管器件的研發,開展新一代碳化硅半導體芯片及器件的研發,積極推進以MOSFET和IGBT為...

        8月18日晚,上交所受理瑞能半導體科技股份有限公司(簡稱“瑞能半導”)科創板上市申請。此次公司擬募資6.73億元投向C-MOS/IGBT-IPM產品平臺建設項目、南昌實驗室擴容項目、研發中心建設項目,以及發展與科技儲備資金。

        瑞能半導表示,公司以加速實現國產替代為己任,未來將進一步完善全系列晶閘管和功率二極管器件的研發,開展新一代碳化硅半導體芯片及器件的研發,積極推進以MOSFET和IGBT為代表的功率半導體器件的研發和生產。

        市場空間廣闊

        功率半導體器件作為國家戰略性新興產業,伴隨著電力的運用而誕生,并隨著社會電氣化程度的加深而發展,國家給予了高度重視和支持。然而,功率半導體器件領域長期被歐美日企業壟斷,各類功率半導體器件的國產化率處于較低水平,國內功率半導體企業的市場占有率相對較低。分析人士認為,未來,中國功率半導體產業自主可控的需求將日益突出,進口替代空間巨大。

        本次沖刺科創板,瑞能半導擬募集資金6.73億元,投向C-MOS/IGBT-IPM產品平臺建設項目、南昌實驗室擴容項目、研發中心建設項目以及發展與科技儲備資金。

        其中,C-MOS/IGBT-IPM產品平臺建設項目圍繞功率半導體領域,規劃建設硅基MOSFET、IGBT/IPM功率器件產品平臺。本項目實施后,產品將廣泛應用于新能源汽車、新能源光伏、工業制造、通信電源等領域。

        南昌實驗室擴容項目在瑞能半導現有南昌實驗室的基礎上進行擴容建設,通過增加可靠性測試和失效性分析相關的檢測分析設備投入,優化實驗環境,提升測試與分析的能力和效率,從而進一步保障產品質量、吸引高端人才,促進業務高質量發展。

        研發中心新建項目依托公司在功率半導體領域的技術優勢,布局碳化硅功率器件等功率半導體行業內的新技術領域,通過引進高技術人才、增加與外部機構研發合作等方式,進一步加強公司研發團隊及研發平臺的實力,以保持公司產品在核心技術方面的優勢地位,為公司業務中長期的可持續發展奠定基礎。

        此外,瑞能半導還擬使用3億元募集資金,用于發展與科技儲備資金。本次發展與科技儲備資金將結合公司的經營需要和戰略規劃的資金需求,以提升公司的競爭力。

        研發投入漸增

        財務數據顯示,2017年至2019年及2020年1-3月(簡稱“報告期內”),瑞能半導實現營業收入分別為6.19億元、6.67億元、5.88億元和1.40億元;實現凈利潤分別為8775.98萬元、9493.04萬元、8610.88萬元和1898.70萬元。

        在研發方面,瑞能半導報告期內的研發費用逐步增長,分別為2450.96萬元、2363.82萬元、3214.54萬元和687.75萬元;研發費率分別為3.96%、3.54%、5.47%和4.90%。目前,瑞能半導及其子公司持有境內專利共22項,其中發明專利5項、實用新型專利17項,境外專利4項。

        報告期內,公司主營業務的綜合毛利率分別為43.59%、42.30%、45.20%和40.80%,存在一定波動。公司表示,公司主營業務包括晶閘管、功率二極管等產品,不同產品的毛利率存在差異,報告期內公司綜合毛利率因產品收入結構變化存在一定波動。公司提示稱,未來隨著公司的快速發展,公司業務規模將進一步擴大,產品種類將持續增多,如果公司根據自身的發展戰略調整產品結構,公司的綜合毛利率仍存在波動的風險。

        在應收賬款方面,公司稱,報告期內,公司的應收賬款賬面價值分別為12627.26萬元、8641.67萬元、6214.39萬元及3299.25萬元,占營業收入的比例分別為20.41%、12.96%、10.57%和23.49%,占比相對較高。

        公司表示,公司報告期內直接客戶主要為半導體領域全球知名經銷商,終端客戶主要為全球知名企業,商業信譽良好,且公司已按照審慎的原則計提了壞賬準備,如果公司未來有大量應收賬款不能及時收回,將形成較大的壞賬損失,從而對公司經營業績造成一定的不利影響。

        截至目前,瑞能半導尚無實際控制人。從股權結構來看,本次發行前,瑞能半導的重要股東南昌建恩、北京廣盟、天津瑞芯直接持有公司71.44%的股份,建廣資產作為上述三家合伙企業的執行事務合伙人,有權以前三大股東名義在公司股東(大)會層面行使71.44%的股東表決權,為公司間接控股股東。然而,建廣資產的任一股東對其董事會及日常經營管理均無單獨決策權,因此建廣資產無實際控制人,進而導致瑞能半導無實際控制人。

        知名客戶云集

        招股書申報稿顯示,瑞能半導主要從事功率半導體器件的研發、生產和銷售,是一家擁有芯片設計、晶圓制造、封裝設計的一體化經營功率半導體企業,致力于開發并生產領先的功率半導體器件組合。公司主要產品包括晶閘管和功率二極管等,廣泛應用于以家電為代表的消費電子、以通信電源為代表的工業制造、新能源及汽車等領域。

        瑞能半導是半導體產業細分賽道的“領跑者”。根據IHS Markit報告的市場統計,2019年度公司晶閘管產品的市場占有率在國內排名第一、全球排名第二。根據WSTS協會報告的市場統計,2019年度公司晶閘管產品的全球市場占有率為21.8%,中國市場占有率達36.2%;2019年度公司功率二極管產品的全球市場占有率為2.6%,中國市場占有率達7.5%。

        目前公司已在全球市場鎖定了一群知名客戶。其中,以家電為代表的消費電子領域用戶包括惠而浦、伊萊克斯、惠普、海爾、美的、格力、海信、三星、LG、索尼、日立、佳能、飛利浦、松下、戴爾等;以通信電源為代表的工業制造領域用戶包括臺達、ABB、施耐德、霍尼韋爾、通用電氣、科士達、英威騰、麥格米特、光寶、偉創力、立維騰等;新能源及汽車領域用戶包括海拉電子、特銳德、上能電氣、中恒電氣、博世、NAPINO、HERO、TVS Motor等。

        作為一家在功率半導體行業具有優勢地位的企業,瑞能半導以加速實現國產替代為己任,部分產品和制造技術填補了國內行業空白。公司通過持續的研發投入和技術積累,形成了一系列富有市場競爭力的產品,同時積極推進IGBT和碳化硅功率器件等第三代半導體材料器件的研發和生產,為未來穩健成長提供了強有力的保障支撐。此外,公司擁有一支富有經驗的研發隊伍,骨干成員均具備10年以上從事功率半導體器件的研發設計經驗,研發團隊能將公司技術有效轉化成產品,實現可持續經營發展。

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