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充電樁芯片第一股!東微半導登陸科創板 華為哈勃投資入股

2022-02-10 13:35 | 來源:科創板日報 | 作者:俠名 | [科創板] 字號變大| 字號變小


?東微半導是一家工業及汽車領域應用的半導體企業,在高壓超級結、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領域中,實現了國產化。...

        2月10日,“充電樁芯片”第一股東微半導在科創板掛牌上市,首日開盤5分鐘漲超13%,市值破百億元。

        東微半導是一家工業及汽車領域應用的半導體企業,在高壓超級結、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領域中,實現了國產化。

        與比亞迪半導體一樣,作為炙手可熱的車載芯片,東微半導IPO備受矚目,其背后的投資陣容非常亮眼,包含了哈勃投資、中芯聚源、中興創投以及元禾控股等。

        在上述股東中,最值得關注的應是哈勃投資。2020年7月,哈勃科技向東微半導投資7530萬元,持股數為333.0萬股,隨著東微半導的上市,哈勃投資獲得了多倍回報。

        《科創板日報》記者發現,自從2019年華為設立全資子公司哈勃投資以來,哈勃投資已經拿下6個IPO,東微半導是最近的一個。2022年1月,哈勃投資押中的天岳先進也在科創板掛牌上市,持股市值超億元。

        結緣英飛凌科技

        東微半導的法定代表人為龔軼,其與王鵬飛是聯合創始人。上市前,王鵬飛實控東微半導,持股比例達到16.0872%,龔軼持股13.2791%。

        履歷顯示,龔軼出生于1976年6月,碩士畢業于英國紐卡斯爾大學。與半導體結緣,發生在1999年7月,龔軼擔任美國超微半導體公司工程部工程師。

        2004年9月,龔軼轉投到德國英飛凌科技,這是全球領先的半導體公司之一,前身為西門子集團的半導體部門。在汽車電子與芯片卡部門,龔軼做技術專家,一做就是3年。

        2008年9月,龔軼與王鵬飛共同創辦東微有限。

        王鵬飛與龔軼有著相同的經歷,也來自于英飛凌科技。湊巧的是,王鵬飛也出生于1976年,其為德國慕尼黑工業大學博士。2004年7月,在德國英飛凌科技,擔任存儲器研發中心研發工程師一職。

        值得一提的是,王鵬飛還于2009年7月起,擔任復旦大學微電子學院教授,是國家高層次人才特殊支持計劃領軍人才入選者。

        或許是兩人年齡一樣,背景相似,兩位工程師在車載芯片上發生了交集。

        成立東微半導后,王鵬飛為首席技術官,帶領劉磊、劉偉及毛振東進行研發。其中,劉磊碩士畢業于安徽大學電路與系統學院,曾任職華潤上華半導體科技,擔任工藝整合工程師。有意思的是,另一核心研發人員毛振東,也任職過華潤上華科技,為技術開發部工程師。

        而龔軼則一直做總經理,負責東微半導的業務。按東微半導的話來說,公司核心技術人員均為半導體相關專業畢業,從事半導體技術開發和項目管理工作超過10年,有著豐富的產品開發經驗和項目管理經驗。

        缺芯潮席卷 “充電樁芯片”第一股成色幾何?

        核心技術人員都是半導體行業出生,東微半導成色如何?

        營收數據顯示,2018-2020年東微半導分別實現1.53億元、1.96億元、3.09億元,分別增長28%、57%。同時,公司還預計2021年度,營業收入為7.72億元至8.03億元,同比增長150%至160%。

        營收大增的背后,是新能源汽車充電樁、通信電源、光伏逆變器等終端市場需求提升,公司產品規模增長所致。

        細察發現,東微半導專注新能源汽車直流充電樁、5G基站電源及通信電源等領域,為國內少數專注工業級高壓超級結MOSFET領域的高性能功率半導體廠商。

        2019年度,東微半導MOSFET器件的平均銷售單價為2.19元/顆,高于同行業的平均單價1.19元/顆。在缺芯潮下,2021年1-6月,MOSFET器件單價變為3.06元/顆,增長35.40%,為東微半導芯片中,變動幅度最大的產品。

        中低壓屏蔽柵MOSFET的平均單價則為1.16/顆,增長4.50%,而與比亞迪半導體一樣,研發的TGBT半導體,單價則為9.10元/顆。

        不過,值得注意的是,超級硅MOSFET單價卻為2.81元/顆,反而同比增長-1.40%。

        由于銷售單價上漲,東微半導的MOSFET器件毛利率也隨之上漲。2021年1-6月,該品類毛利率達到26.87%,較2020年的17.89%增長50%。

        與已上市的半導體公司相比,記者發現,由于公司是Fabless模式,即沒有制造業務、只專注于設計,因此暫無產品結構完全同樣的公司相比。

        不過,在業務結構中,東微半導與士蘭微和新潔能相近。士蘭微主營MOSFET、IGBT半導體分立器件;新潔能則做溝槽型功率MOSFET、超級結功率MOSFET的。

        2021年1-6月,兩者對應的毛利率超過30%,分別為31.60%和36.93%。對應的生產模式,士蘭微是IDM模式,即從設計、制造、封裝測試到銷售自有品牌,新潔能則以Fabless模式為主。

        華為的第6個IPO來了,做VC最高回報超50倍

        對于東微半導來說,哈勃投資的入局并不算太早。2020年7月,哈勃投資才向東微半導入股7530萬元,對應持股比例為6.5913%,但哈勃投資為戰略投資。

        此前,東微半導曾發生過3次增資及3次股權轉讓。聚源聚芯、中芯國際的VC趁此進入。

        根據披露,哈勃投資入股是看好東微半導所處行業及未來發展,入股價格為22.6075元/股,對應5053.2275的總股本,這意味著投后估值為11億元。

        2月10日,東微半導首日開盤漲13%,市值近百億,回報近6倍。

        這不是哈勃投資第一次在VC投資上,獲取豐厚回報。

        2022年1月12日,哈勃投資迎來了第5個IPO。其以1.1億元投資天岳先進,持有10%股份。而哈勃投資介入的該輪融資投前估值為10億元。

        哈勃投資進入4個月后,天岳先進又進行了3.5億元的融資,三家機構入場,這次投前估值漲到了18億元。隨著天岳先進的上市,哈勃投資在這筆投資中,回報倍數達到20倍。

        此外,思瑞浦、燦勤科技、東芯股份、炬光科技,均是哈勃投資投出的IPO。數據顯示,從2019年成立,哈勃投資已經拿下了6個IPO。并且華為做VC,也發生了第一筆退出,減持480億元芯片龍頭。

        或許是VC投資做的風生水起,哈勃投資也正式進軍私募。1月19日,“中基協”公示了哈勃投資的私募基金管理人信息,公司于今年1月14日正式登記為私募股權、創業投資基金管理人。

        股權穿透顯示,實控人、大股東是華為投資控股有限公司工會委員會,持股99.25%,任正非持股0.75%。

        在半導體領域上,哈勃投資還在不斷加碼。2021年以來,先后投資了蘇州晶拓半導體、深迪半導體、東莞市天域半導體、杰華特微電子、上揚軟件等等。

        對于哈勃投資的成立,華為輪值董事長郭平曾談說,華為的核心業務是聚焦在聯接和計算,但貿易摩擦下,專門成立了哈勃投資,通過投資和華為的技術去幫助整個產業鏈。

        截至目前,哈勃投資的公司中,納芯微、好達電子、長光華芯等均已經過會。可以預見,一個“硬科技VC”巨頭正在升起。

電鰻快報


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